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날아라팡's 반도체 아카이브
회로 설계에 있어 전력 소모를 최소화하는 것은 가장 중요하게 고려해야할 사항 중 하나이다. 전력 중에서도 대기 전력을 최소화하는 것이 바로 그 중에 하나이다. 대기 전력을 줄이기 위해선 소자의 leakage를 줄여야한다. 이처럼 MOSFET(특히 Logic Tr.)을 모델링하는 SPICE Modeling 엔지니어는 다음과 같은 leakage를 고려해야 한다. (이 외에도 고려해야할 leakage 성분이 많을 수 있다.) - Gate leakage - Channel leakage - Gate Induced Drain Leakage(GIDL) 그렇다면 이 leakage current를 확인하기 위해 MOSFET의 노드에 어떤 전압을 인가해야 할까? 이것을 MOSFET symbol에 각 전압을 표시하려고 한다..
Treshold voltage에 영향을 끼치는 요소들은 분류하면 다음과 같습니다. - Substrate Doping effect : Vertical non-Uniform doping effects / Lateral non-Uniform doping effects - Channel length effect : Normal short channel effects / Reverse short channel effects - Channel width effect : Normal Narrow width effects / Reverse narrow width effects - body & bulk charge effect : Body bias effect and bulk charge effect 이전 포스팅에서 "..
Treshold voltage에 영향을 끼치는 요소들은 분류하면 다음과 같습니다. - Substrate Doping effect : Vertical non-Uniform doping effects / Lateral non-Uniform doping effects - Channel length effect : Normal short channel effects / Reverse short channel effects - Channel width effect : Normal Narrow width effects / Reverse narrow width effects - body & bulk charge effect : Body bias effect and bulk charge effect 이번 포스팅은 Th..
문턱전압에 영향을 주는 효과는 일반적으로 6개로 구분할 수 있습니다. 다만 새로운 공정 기술의 도입과 미세화로 인해 추가적인 영향이 있을 수 있으나 그런 부분은 논외로 하겠습니다. 문턱전압에 영향을 주는 효과에는 다음이 존재합니다. - Non-Uniform doping effects - Normal short channel effects - Reverse short channel effects - Normal Narrow width effects - Reverse narrow width effects - Body bias effect and bulk charge effect 이번 포스팅은 "Non-Uniform doping effects'에 대하여 심층적으로 알아보겠습니다. 참고로 제 포스팅은 N-채널 ..
지난 포스팅에서 BSIM 모델에서 Bulk charge effect 식과 관련하여 이해하는 시간을 가졌습니다. 이번 포스팅은 Abulk 식에서 A0 파라미터가 어떻게 동작하는지 알아보도록 하겠습니다. Abulk와 A0 만의 관계를 해석하기 위해 나머지 파라미터는 0으로 가정하겠습니다. 그럼 각 항이 소거되어 아래와 같이 표현됩니다. 본격적으로 해석하기 전에 파라미터 정의를 확인하고 넘어갑시다. - A0 : Coefficient of channel length dependence of bulk charge effect - XJ : S/D junction depth - Xdep : the depletion width at Vbs = 0 - NDEP : Channel doping concentration at..
이번 포스팅은 BSIM4 모델에서 Bulk charge effect(이하 벌크 전하 효과)를 어떻게 구현하는지에 대하여 알아보겠습니다. 벌크 전하 효과에 의한 반전층 전하량(Qinv)식 변화에 대한 내용은 아래 포스팅에 다루었으니 모르는 분들은 내용을 참고하길 바랍니다. 2021.06.07 - [DEVICE PHYSICS] - Bulk charge effect(벌크 전하 계수) Bulk charge effect(벌크 전하 계수) 이번 포스팅은 Bulk charge effect(이하 벌크 전하 효과)에 대해 서술하고자 합니다. 벌크 전하 효과는 소자 물리 교재에서 그 내용을 찾아보는 게 쉽지 않습니다.. 하지만 BSIM4 메뉴얼을 보면 문턱 전 zzoonijjoons.tistory.com "벌크 전하 효과..
이번 포스팅은 Bulk charge effect(이하 벌크 전하 효과)에 대해 서술하고자 합니다. 벌크 전하 효과는 소자 물리 교재에서 그 내용을 찾아보는 게 쉽지 않습니다.. 하지만 BSIM4 메뉴얼을 보면 문턱 전압뿐 아니라 드레인 전류 모델에도 영향을 줍니다. 이와 관련된 식이 BSIM4 메뉴얼을 찾아보면 나오는데 바로 아래와 같습니다. 수식을 살펴보면 채널 length 및 width, 게이트 전압, 바디 전압 등과 관련이 있는 것을 파악할 수 있는데, 해당 식에 대한 고찰은 다른 포스팅에서 서술하기로 하고 이번엔 벌크 전하 효과가 무엇인지에 초점을 맞추고자 합니다. BSIM4는 전하량을 베이스로 하여 전류식을 계산합니다 따라서 책을 보다보면 Qinv에 관한 식을 자주 접하게 되는데요.. 바디 효과..
지난 포스팅에서 BSIM4 Model에서 MOSFET 내 Resistance를 어떻게 분류하는지를 알아봤습니다. 자세한 내용은 아래 링크를 눌러 확인 바랍니다. 2021.06.06 - [Device Modeling] - BSIM4 Manual : Source/Drain Resistance Model에 대한 고찰(1) BSIM4 Manual : Source/Drain Resistance Model에 대한 고찰(1) 이번 포스팅은 BSIM4 Manual에서 "Chapter 5. Drain Current Model" 중 Source/Drain Resistance Model에 대하여 알아보겠습니다. 먼저 MOSFET 에서 저항을 표시하면 아래 그림과 같습니다. Chapter 5.3에서는 As.. zzoonijj..