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- 벌크 전하 효과
- junction capacitance
- opamp
- BSIM4 manual
- LDMOS Gate Capacitance
- junction area capacitance
- BSIM4 parasitic capacitance
- Gate Capacitance
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- 반전증폭기
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목록벌크 전하 효과 (3)
날아라팡's 반도체 아카이브
지난 포스팅에서 BSIM 모델에서 Bulk charge effect 식과 관련하여 이해하는 시간을 가졌습니다. 이번 포스팅은 Abulk 식에서 A0 파라미터가 어떻게 동작하는지 알아보도록 하겠습니다. Abulk와 A0 만의 관계를 해석하기 위해 나머지 파라미터는 0으로 가정하겠습니다. 그럼 각 항이 소거되어 아래와 같이 표현됩니다. 본격적으로 해석하기 전에 파라미터 정의를 확인하고 넘어갑시다. - A0 : Coefficient of channel length dependence of bulk charge effect - XJ : S/D junction depth - Xdep : the depletion width at Vbs = 0 - NDEP : Channel doping concentration at..
이번 포스팅은 BSIM4 모델에서 Bulk charge effect(이하 벌크 전하 효과)를 어떻게 구현하는지에 대하여 알아보겠습니다. 벌크 전하 효과에 의한 반전층 전하량(Qinv)식 변화에 대한 내용은 아래 포스팅에 다루었으니 모르는 분들은 내용을 참고하길 바랍니다. 2021.06.07 - [DEVICE PHYSICS] - Bulk charge effect(벌크 전하 계수) Bulk charge effect(벌크 전하 계수) 이번 포스팅은 Bulk charge effect(이하 벌크 전하 효과)에 대해 서술하고자 합니다. 벌크 전하 효과는 소자 물리 교재에서 그 내용을 찾아보는 게 쉽지 않습니다.. 하지만 BSIM4 메뉴얼을 보면 문턱 전 zzoonijjoons.tistory.com "벌크 전하 효과..
이번 포스팅은 Bulk charge effect(이하 벌크 전하 효과)에 대해 서술하고자 합니다. 벌크 전하 효과는 소자 물리 교재에서 그 내용을 찾아보는 게 쉽지 않습니다.. 하지만 BSIM4 메뉴얼을 보면 문턱 전압뿐 아니라 드레인 전류 모델에도 영향을 줍니다. 이와 관련된 식이 BSIM4 메뉴얼을 찾아보면 나오는데 바로 아래와 같습니다. 수식을 살펴보면 채널 length 및 width, 게이트 전압, 바디 전압 등과 관련이 있는 것을 파악할 수 있는데, 해당 식에 대한 고찰은 다른 포스팅에서 서술하기로 하고 이번엔 벌크 전하 효과가 무엇인지에 초점을 맞추고자 합니다. BSIM4는 전하량을 베이스로 하여 전류식을 계산합니다 따라서 책을 보다보면 Qinv에 관한 식을 자주 접하게 되는데요.. 바디 효과..