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Junction capacitance in BSIM4
이전 포스팅에서 MOSFET의 parasitic capacitance 성분에 대해 다뤘습니다. 자세한 내용은 아래 포스팅을 확인 바랍니다. 2021.08.17 - [Device Modeling] - Parasitic capacitance modeled in BSIM4 Parasitic capacitance modeled in BSIM4 BSIM4에 모델링되어 있는 capacitance는 아래 vertical view처럼 표시할 수 있다. 그림 (a)가 MOSFET의 parasitic capacitance 성분을 나타낸 것이며, 그림 (b)는 channel 방향에 따른 Doping 농도를 표시한 것이.. zzoonijjoons.tistory.com 이번 포스팅은 Junction capacitance에 대한..
Parasitic capacitance modeled in BSIM4
BSIM4에 모델링되어 있는 capacitance는 아래 vertical view처럼 표시할 수 있다. 그림 (a)가 MOSFET의 parasitic capacitance 성분을 나타낸 것이며, 그림 (b)는 channel 방향에 따른 Doping 농도를 표시한 것이다. BVDSS(Pinch Through 현상을 일으키는 최소한의 전압)를 높이기 위하여 pocket implant를 형성한 것을 알 수 있다. (Pocket implant는 Substrate 농도보다 높아 depletion width를 감소시킴으로써 punch-through 현상을 감소하기 위함이다.) 이번 포스팅에서 다루고자 하는 것은 parasitic capacitance이다. 그림 (a)를 보면 parasitic capacitance ..