날아라팡's 반도체 아카이브

구글에서 아래를 검색하면 유용한 자료가 많이 나온다. ese 568 mixed signal design and modeling 2017 ee141 fall 2019 lecture

LDMOS 자료를 찾던 중에 LDMOS 구조에 대해 분석을 잘 해놓은 포스팅이 있어 공유합니다. 일반 교재에서는 언급하지 않는 내용이니 HV소자에 관심있는 분들은 반드시 숙지하길 바랍니다. https://m.blog.naver.com/PostView.naver?blogId=esdplayer&logNo=221703736748&categoryNo=16&proxyReferer=https:%2F%2Fwww.google.co.kr%2F [반도체 소자] LDMOS의 구조 LDMOS는 보통 High Voltage소자로 많이 사용됩니다. 공정/테크마다 차이가 있겠지만, 보통 10V이상... blog.naver.com https://m.blog.naver.com/esdplayer/221749261352 [반도체 소자] ..

Treshold voltage에 영향을 끼치는 요소들은 분류하면 다음과 같습니다. - Substrate Doping effect : Vertical non-Uniform doping effects / Lateral non-Uniform doping effects - Channel length effect : Normal short channel effects / Reverse short channel effects - Channel width effect : Normal Narrow width effects / Reverse narrow width effects - body & bulk charge effect : Body bias effect and bulk charge effect 이전 포스팅에서 "..

Treshold voltage에 영향을 끼치는 요소들은 분류하면 다음과 같습니다. - Substrate Doping effect : Vertical non-Uniform doping effects / Lateral non-Uniform doping effects - Channel length effect : Normal short channel effects / Reverse short channel effects - Channel width effect : Normal Narrow width effects / Reverse narrow width effects - body & bulk charge effect : Body bias effect and bulk charge effect 이번 포스팅은 Th..

문턱전압에 영향을 주는 효과는 일반적으로 6개로 구분할 수 있습니다. 다만 새로운 공정 기술의 도입과 미세화로 인해 추가적인 영향이 있을 수 있으나 그런 부분은 논외로 하겠습니다. 문턱전압에 영향을 주는 효과에는 다음이 존재합니다. - Non-Uniform doping effects - Normal short channel effects - Reverse short channel effects - Normal Narrow width effects - Reverse narrow width effects - Body bias effect and bulk charge effect 이번 포스팅은 "Non-Uniform doping effects'에 대하여 심층적으로 알아보겠습니다. 참고로 제 포스팅은 N-채널 ..

이번 포스팅은 Bulk charge effect(이하 벌크 전하 효과)에 대해 서술하고자 합니다. 벌크 전하 효과는 소자 물리 교재에서 그 내용을 찾아보는 게 쉽지 않습니다.. 하지만 BSIM4 메뉴얼을 보면 문턱 전압뿐 아니라 드레인 전류 모델에도 영향을 줍니다. 이와 관련된 식이 BSIM4 메뉴얼을 찾아보면 나오는데 바로 아래와 같습니다. 수식을 살펴보면 채널 length 및 width, 게이트 전압, 바디 전압 등과 관련이 있는 것을 파악할 수 있는데, 해당 식에 대한 고찰은 다른 포스팅에서 서술하기로 하고 이번엔 벌크 전하 효과가 무엇인지에 초점을 맞추고자 합니다. BSIM4는 전하량을 베이스로 하여 전류식을 계산합니다 따라서 책을 보다보면 Qinv에 관한 식을 자주 접하게 되는데요.. 바디 효과..

*해당 내용은 Chenming Calvin Hu 박사의 "Modern Semiconductor Devices for Integrated Circuits" 교재에서 반도체 물리 내용을 정리한 것입니다. 현대 트랜지스터는 아래 그림처럼 Retrograde body doping profile(이하 "역경사 바디 도핑")을 소자에 채택했습니다. 이것은 얇은 표면층에 낮은 도핑을 하고 그 아래는 아주 높은 도핑을 하는 것을 의미합니다. 위 그림을 통해 Uniform body doping profile(이하 "균일 바디 도핑")도 확인할 수 있습니다. 초기 MOSFET은 해당 doping profile을 채택했는데 이것은 바디 효과에 대한 Wd,max가 Vsb에 따라 바뀌었고, 이것은 바디 효과 이론을 더 복잡하게..

Short channel effects의 원인은 channel 길이가 감소함에 따라 전기장 세기가 강해지는 것을 알 수 있다. DIBL은 channel 길이가 짧아져 각 위치의 전압분포의 기울기가 커지고 이에 따라 전기장 세기가 증가하여 source측 barrier가 감소했다. Hot carrier effect는 channel 길이가 감소하여 전기장 세기가 강해졌고 전자가 큰 운동에너지를 받아 drift됨으로써 impact ionization이 발생했다. 그렇다면 short channel에서도 shrink되기 전처럼 정상적인 동작을 하려면 어떻게 해야할까? 그것은 channel 길이가 줄어들어도 전기장의 세기를 일정하게 유지시켜주면 된다. 이것을 MOSFET Scaling이라고 하며, MOSFET Sca..