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- junction area capacitance
- MOSFET NRD NRS
- 플립플롭
- bulk charge effect
- MOSFET Gate Capacitance
- Overlap capacitance
- BSIM4 diffusion resistor
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- 벌크 전하 효과
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목록문턱전압 (3)
날아라팡's 반도체 아카이브
Treshold voltage에 영향을 끼치는 요소들은 분류하면 다음과 같습니다. - Substrate Doping effect : Vertical non-Uniform doping effects / Lateral non-Uniform doping effects - Channel length effect : Normal short channel effects / Reverse short channel effects - Channel width effect : Normal Narrow width effects / Reverse narrow width effects - body & bulk charge effect : Body bias effect and bulk charge effect 이전 포스팅에서 "..
Treshold voltage에 영향을 끼치는 요소들은 분류하면 다음과 같습니다. - Substrate Doping effect : Vertical non-Uniform doping effects / Lateral non-Uniform doping effects - Channel length effect : Normal short channel effects / Reverse short channel effects - Channel width effect : Normal Narrow width effects / Reverse narrow width effects - body & bulk charge effect : Body bias effect and bulk charge effect 이번 포스팅은 Th..
실제 MOSFET에 흐르는 전류의 그래프를 그려보면 게이트 전압이 채널이 형성되기 시작하는 전압인 Threshold voltage에 도달하기 이전에도 전류가 흐르는 것을 이전 포스팅에서 확인했다. 그렇다면 어떻게 threshold voltage를 가해주기 이전에 전류가 흐를 수 있는지를 살펴보자. (1) Gate 전압 Vg=Vfb Flat band를 가지며 drain 전압이 가해지지 않은 상태의 source-body-drain을 따라 그린 energy band diagram은 위와 같다. Source-Body 및 Drain-Body 사이의 2개의 PN 접합이 존재하는 것을 확인할 수 있다. PN 접합이 생기면 diffusion이 일어나며 depletion region이 생겨나게 되고 내부의 전기장의 세기..