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- 벌크 전하 효과
- LDMOS Gate Capacitance
- CGD
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- HV Gate Capacitance
- Threshold voltage
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목록Threshold voltage (3)
날아라팡's 반도체 아카이브
Threshold Voltage에 영향을 끼치는 효과(2)_Channel width effect
Treshold voltage에 영향을 끼치는 요소들은 분류하면 다음과 같습니다. - Substrate Doping effect : Vertical non-Uniform doping effects / Lateral non-Uniform doping effects - Channel length effect : Normal short channel effects / Reverse short channel effects - Channel width effect : Normal Narrow width effects / Reverse narrow width effects - body & bulk charge effect : Body bias effect and bulk charge effect 이전 포스팅에서 "..
Threshold Voltage에 영향을 끼치는 효과(2)_Channel length effect
Treshold voltage에 영향을 끼치는 요소들은 분류하면 다음과 같습니다. - Substrate Doping effect : Vertical non-Uniform doping effects / Lateral non-Uniform doping effects - Channel length effect : Normal short channel effects / Reverse short channel effects - Channel width effect : Normal Narrow width effects / Reverse narrow width effects - body & bulk charge effect : Body bias effect and bulk charge effect 이번 포스팅은 Th..
Threshold Voltage에 영향을 끼치는 효과(1)_Non uniform doping effect
문턱전압에 영향을 주는 효과는 일반적으로 6개로 구분할 수 있습니다. 다만 새로운 공정 기술의 도입과 미세화로 인해 추가적인 영향이 있을 수 있으나 그런 부분은 논외로 하겠습니다. 문턱전압에 영향을 주는 효과에는 다음이 존재합니다. - Non-Uniform doping effects - Normal short channel effects - Reverse short channel effects - Normal Narrow width effects - Reverse narrow width effects - Body bias effect and bulk charge effect 이번 포스팅은 "Non-Uniform doping effects'에 대하여 심층적으로 알아보겠습니다. 참고로 제 포스팅은 N-채널 ..