Notice
Recent Posts
Recent Comments
Link
250x250
| 일 | 월 | 화 | 수 | 목 | 금 | 토 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | ||
| 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 |
| 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 |
| 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 |
| 27 | 28 | 29 | 30 |
Tags
- Flipflop
- BSIM4 manual
- leakage current
- junction capacitance
- HV Gate Capacitance
- fringing capacitance
- 문턱전압
- diffusion resistor
- Gate Capacitance
- 반전증폭기
- MOSFET Gate Capacitance
- short channel effect
- NRS
- Overlap capacitance
- 벌크 전하 효과
- SCE
- BSIM4
- bulk charge effect
- 플립플롭
- MOSFET NRD NRS
- BSIM4 parasitic capacitance
- MOSFET parasitic capacitance
- MOSFET
- BSIM4 diffusion resistor
- LDMOS Gate Capacitance
- Threshold voltage
- pocket implant
- CGD
- junction area capacitance
- opamp
Archives
- Today
- Total
날아라팡's 반도체 아카이브
LDMOS 소자의 이해 본문
728x90
LDMOS 자료를 찾던 중에 LDMOS 구조에 대해 분석을 잘 해놓은 포스팅이 있어 공유합니다.
일반 교재에서는 언급하지 않는 내용이니 HV소자에 관심있는 분들은 반드시 숙지하길 바랍니다.
https://m.blog.naver.com/PostView.naver?blogId=esdplayer&logNo=221703736748&categoryNo=16&proxyReferer=https:%2F%2Fwww.google.co.kr%2F
[반도체 소자] LDMOS의 구조
LDMOS는 보통 High Voltage소자로 많이 사용됩니다. 공정/테크마다 차이가 있겠지만, 보통 10V이상...
blog.naver.com
https://m.blog.naver.com/esdplayer/221749261352
[반도체 소자] LDMOS는 왜 Cgd가 클까?
LDMOS는 왜 기생캡 Cgd가 클까요? Drain영역과 Poly gate영역이 절반 가까이 Overlap되는 부분이 ...
blog.naver.com
728x90
'DEVICE PHYSICS' 카테고리의 다른 글
| MOS Capacitance 자료 (0) | 2022.03.04 |
|---|---|
| Threshold Voltage에 영향을 끼치는 효과(2)_Channel width effect (2) | 2021.06.18 |
| Threshold Voltage에 영향을 끼치는 효과(2)_Channel length effect (1) | 2021.06.17 |
| Threshold Voltage에 영향을 끼치는 효과(1)_Non uniform doping effect (1) | 2021.06.17 |
| Bulk charge effect(벌크 전하 효과) (0) | 2021.06.07 |
'DEVICE PHYSICS' Related Articles
more
Comments