날아라팡's 반도체 아카이브

Short channel effects의 원인은 channel 길이가 감소함에 따라 전기장 세기가 강해지는 것을 알 수 있다. DIBL은 channel 길이가 짧아져 각 위치의 전압분포의 기울기가 커지고 이에 따라 전기장 세기가 증가하여 source측 barrier가 감소했다. Hot carrier effect는 channel 길이가 감소하여 전기장 세기가 강해졌고 전자가 큰 운동에너지를 받아 drift됨으로써 impact ionization이 발생했다. 그렇다면 short channel에서도 shrink되기 전처럼 정상적인 동작을 하려면 어떻게 해야할까? 그것은 channel 길이가 줄어들어도 전기장의 세기를 일정하게 유지시켜주면 된다. 이것을 MOSFET Scaling이라고 하며, MOSFET Sca..