날아라팡's 반도체 아카이브

*해당 내용은 Chenming Calvin Hu 박사의 "Modern Semiconductor Devices for Integrated Circuits" 교재에서 반도체 물리 내용을 정리한 것입니다. 현대 트랜지스터는 아래 그림처럼 Retrograde body doping profile(이하 "역경사 바디 도핑")을 소자에 채택했습니다. 이것은 얇은 표면층에 낮은 도핑을 하고 그 아래는 아주 높은 도핑을 하는 것을 의미합니다. 위 그림을 통해 Uniform body doping profile(이하 "균일 바디 도핑")도 확인할 수 있습니다. 초기 MOSFET은 해당 doping profile을 채택했는데 이것은 바디 효과에 대한 Wd,max가 Vsb에 따라 바뀌었고, 이것은 바디 효과 이론을 더 복잡하게..